SI6913DQ-T1-BE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI6913DQ-T1-BE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.14 |
10+ | $1.92 |
100+ | $1.5432 |
500+ | $1.2679 |
1000+ | $1.0505 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Leistung - max | 830mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.9A (Ta) |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI6913 |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI6913DQ-T1-BE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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